جنس لایه نازک سلول خورشیدی
استفاده از رویکرد تصمیم گیری چند صفته برای انتخاب جنس لایه نازک سلول خورشیدی
این مقاله در نظر دارد شیوه ای را برای انتخاب جنس مواد لایه جاذب در سلول های خورشیدی لایه نازک (TFSC’s)، با استفاده از رویکرد تصمیم گیری چند صفته تصمیم گیری (MADM) ارائه دهد. در این مقاله، مواد ممکن مختلف برای لایه ی جاذب و ویژگی¬های آنها مثل گاف نواری، ضریب جذب، طول انتشار، سازگاری ترمودینامیکی و سرعت جفتگیری مورد لحاظ قرار گرفته اند و رویکرد MADM برای انتخاب بهترین ماده برای سلول های خورشیدی لایه نازک فراهم شده است. اینطور مشخص شده است که Copper Indium Gallium Didelinide (CIGS)، بهترین ماده در لایه جاذب در سلول های خورشیدی لایه نازک در میان تمام موارد ممکن می باشد.
مقدمه
جهان امروزی با بحران شدی انرژی در منابع ملی که با نرخ بسیار سریعی رو به تقلیل هستند مواجه است که این امر توجه ما را به منابع انرژی جایگزین جلب می کند. انرژی خورشیدی یکی از گزینه های امید بخش در تامین تقاضای انرژی رو به رشد در آینده می باشد. مخصوصا سلول های خورشیدی لایه نازک (TFSC’s) شیوه ی امید بخشی در سلول های خورشیدی زمینی و هوایی می باشد. بیشتر از 50 سال است که ابزارهای فتوولتاییک اختراع شده اند. پس از اکتشاف ابزارهای فتوولتاییک Si با اتصال p-n، علم و تکنولوژی ابزارهای PV (سلول های خورشیدی) و سیستم های مربوطه بطور مداوم مورد توسعه و بهبود قرار گرفته اند. امروزه بهترین نوع سلول های خورشیدی Si کریستالی دارای راندمان 25% هستند [1] که از نظر حداکثر این مقدار به 30% می رسد. به منظور بهبود عملکرد آتی TFSCs از نظر عملکرد لازم است موادی را انتخاب نمود که از نظر عملکرد بهترین هستند.
در طراحی مهندسی جهت انتخاب مواد نیاز به شناخت روشنی از وظایف لازم تمام اجزاء و لحاظ قرار دادن معیارها/فاکتورهای مختلف مهم در این زمینه می باشد. انتخاب کردن مواد لازم به طور کلی در ساخت سلول های خورشیدی لایه نازک و به طور خاص در طراحی لایه جاذب از میان تعدادی مواد مورد نظر صورت می پذیرد، هر چند هر کدام از این مواد داری مزایا و محدودیت¬های خاص خود می باشند [2،3].
موارد کلیدی که عملکرد لایه جاذب TFSC را نشان می دهند شامل گاف نواری، ضریب جذب، طول انتشار، سازگاری ترمودینامیکی و سرعت جفتگیری می¬باشد. این مقاله راهبرد¬های لازم برای انتخاب مواد مناسب لایه جاذب با استفاده از رویکرد تصمیم گیری چند صفته (MADM) را جهت بهبود کارایی ابزار¬ها مورد کنکاش قرار می دهد.
این مقاله در ادامه این گونه است: بخش 2 به توصیف طراحی سلول خورشیدی لایه نازک می پردازد. بخش 3 در باره مواد مورد استفاده در ساخت ابزار های فتوولتاییک و ویژگی های آنها بحث می کند. بخش 4 معیار های انتخاب مواد را توضیح می دهد. این قسمت به توصیف شیوه ی تصمیم گیری و تکنیک مرتب سازی ارجحیات از طریق بررسی میزان تشابه به راه حل ایده آل (TOPSIS) می پردازد. در حالی که بخش 5 شامل کاربرد های روش TOPSIS برای انتخاب جنس لایه جاذب TFSCs می باشد. بخش 6 نتایج بدست آمده از این مطالعه را ذکر می کند.
طراحی سلول خورشیدی لایه نازک
یک سلول خورشیدی لایه نازک (TFSC)، گرچه به سلول فتوولتاییک لایه نازک (TFPV) معروف است، از اتصال دو ماده ناهمسان الکترونیکی با یکدیگر و قرار دادن یک مانع جهت جداسازی بار ساخته شده است. باید دانست که ابزار های کارآمد، باید راندمان بالای تبدیل فتون¬های خورشیدی و حامل های بار برانگیخته شده را تضمین نمایند. یک واریته از اتصال مانند مانند مانع Schottky، homojunction و heterojunction مورد مطالعه قرار گرفته اند. اتصالات می توانند دارای شیب تند، زاویه دار، افقی و غیره با انواع مختلفی از رسانایی باشند [4]. TFSC نشان داده شده در شکل 1. متشکل از چندین لایه از مواد مختلف در ترکیب لایه نازک می باشد. بطور کلی سلول خورسیدی متشکل از یک زیر لایه، اکسید هادی شفاف (TCO)، لایه پنجره (نوع p یا n)، لایه جاذب، اتصال انتهایی و رابط ها می باشد. هر کدام از مواد بخش های مختلف از نظر فیزکی و شیمیایی با یکدیگر متفاوت هستند که از این نظر بر عملکرد کلی ابزار تاثیر گذار است. مرور مختصری از مفاهیم رایج در مورد اجزاء TFSCهای مختلف و اتصالات شیمیایی در زیر آمده است.
زیر لایه یک جزء کم اثر می باشد و لازم است از نظر مکانیکی ثابت، با لایه های زیری از نظر ضریب انبساط حرارتی منطبق و در طی ساخت ابزار بی¬حرکت باشد. سلول های خورشیدی لایه نازک به دو صورت شکل دار می شوند: زیر لایه و رو لایه. در آرایش رو لایه ای، زیر لایه شفاف است و ارتباط از طریق اکسید رسانا اندوده شده (آغشته شده) به زیر لایه ایجاد می گردد، در حالیکه در آرایش زیر لایه ای، زیر لایه فلز یا فلزی اندوده شده به زیر لایه شیشه ای/پلیمری است که ارتباط را نیز خود ایجاد می کند.
تنها کاربران عضو سايت قادر به مشاهده لينک ها هستند.عضويت در سايت / ورود به سايت
شکل 1. نمای طرح کلی از ساختار سلول خورشیدی لایه نازک (TFSC)
لایه هدایت کننده شفاف (TCO) برای ایجاد ارتباط با مقاومت اندک در وسیله و ارسال اکثر نور برخورد شده به لایه جاذب استفاده می گردد. اکسید های هدایت کننده شفاف بطور کلی نیمه رساناهای هم تراز نوع n با رسانایی خوب و شفافیت بالا در طیف مرئی هستند.
لایه پنجره در یک heterojunction به طور اخص جهت تشکیل یک اتصال با لایه جاذب بطوری که میزان زیادی از نور به ناحیه اتصال و لایه جاذب راه دهد.
لایه جاذب heterojunction می باشد و در TFSC به خاطر اینکه در این لایه تنها تولید واقعی از حامل بار اتفاق می افتد بسیار مهم می باشد.
مهمترین مقصود از اتصال انتهایی ایجاد ارتباط اهمی با لایه heterojunction است. ارتباط انتهایی معمولا برای شبه رساناها نوع p کاربرد دارد و فلز استفاده شده باید کارایی بالاتری از شبه رسانا داشته باشد.
مواد و ویژگی های ابزار های فتوولتاییک
برخی مواد جاذب نور فوتون ها را جذب و با اثر فتوولتاییکی(pv) الکترون تولید می کنند که به آنان مواد فتوولتاییک گفته می شود. شمار زیادی از شبه رسانا ها دارای اثر pv هستند اما تنها تعداد کمی از آنها از نظر تجاری مطلوب می باشند به این دلیل که این مواد هم از نظر حداقل بودن ضخامت و هم در دسترس بودن مورد قبول باشند. ویژگی های مواد فتوولتاییک ایده¬آل اینچنین است:
شبه رسانای دارای گاف نواری مستقیم و با گاف نواری تقریبا eV 1.5.
ضریب جذب نور خورشید بالا (تقریباcm / 105).
راندمان کوانتومی بالا در حامل های برانگیخته شده.
سرعت جفتگیری پایین، و
توانایی تشکیل اتصالات الکترونیکی با ثبات بالا.
لایه جاذب لایهای است که در آن ماده فتوولتاییک در سلول خورشیدی آماده می شود. با توجه به ماده مورد استفاده شده و کاربرد آن، لایه جاذب می تواند تک یا چند لایه باشد. چندین ماده فتوولتاییک در حال حاضر استفاده می شوند و بسیاری نیز در حال جستجو برای استفاده می باشند. موادی که در لایه جاذب TFSC بسیار استفاده می شوند شامل: Amorphous Silicon (a-Si)، Cadmium Telluride (CdTe)، Cadmium Indium Gallium Disulphide، Copper Indium Galium Diselinide (CIGS)، Gallium Arsenide (GaAs)، و پلیمر های آلی مثل polyphenylene vinylene و carbon fullerenes و مشتقات آنها [5-9]. لایه جاذب لایه جاذب آنچنان اهمیت دارد که جنس مواد سایر لایه ها بر اساس سازگاری آنها با این لایه انتخاب می شود. لایه پنجره با توجه با سازگاری ترمودینامیکی و مقاومت ویژه اش با لایه جاذب انتخاب می گردد. ازاین رو است که ما روی انتخاب لایه جاذب در سلول خورشیدی تمرکز کرده ایم. تمام موادی که در ساخت لایه جاذب سلول خورشیدی معرفی شدند کاربرد ندارند. برای مثال Gallium Arsenide (GaAs) ضریب جذب خوبی دارد اما به خاطر قیمت بالا در اکتشافات فضایی و سایر پروژهایی که هزینه بالایی را متحمل می شوند کاربرد ندارد. بنابراین باید در ساخت هر چه بهتر لایه جاذب یک سلول خورشیدی به تمام فاکتور های لازم در انتخاب مواد مربوطه دقت نمود.
Cadmium Telluride
Copper Indium Gallium Disulphide
Amorphous Silicon
Copper Indium Gallium Diselinide
این مواد متعلق به یک شبه رسانای آلی به نام perylene diamine می باشند که جهت یافتن بهترین ماده در ساخت لایه جاذب سلول خورشیدی لایه نازک مورد تحلیل قرار گرفتند.
مشخصات اصلی که جهت ارزیابی آنها مورد نظر قرار گرفت گاف نواری، ضریب جذب، طول انتشار، سازگاری ترمودینامیکی و سرعت جفتگیری می باشد.
انتخاب مواد
طرح محصولات مدت زمان زیادی نیست که از روش حل مسئله مورد توجه قرار می¬گیرد. با پیشرفت تکنولوژی و ابزار های کارآمد برای محاسبه، بیشتر فرآیند تصمیم گیری نیازمند ارزیابی شدید گزینه های طرح می باشند. یک تصمیم ملزم به استفاده از منابع است. حل مسئله در حال خلق و تصحیح کردن اطلاعات نشانه گذاری شده توسط تصمیم گیری می باشد.
کمبود اطلاعات مسئله اساسی رو در روی تیم تصمیم گیری می باشد. این کمبود اطلاعات می تواند با نمونه برداری صحیح و انجام عملیات شدید آمار و احتمال بر روی آنها جبران گردد. استفاده از قوانین تصمیم گیری که با الویت بندی گزینه های مختلف و رتبه دادن آنها از بهترین به بدترین انجام می شود ممکن است به ما در انتخاب بهترین ماده کمک کند. از این رو مبنای تصمیم گیری، مرتب سازی و الویت بندی انتخابات مورد نظر گذارده شده و ارزیابی کلی ازگزینه ها بدست می آید.
1.4. رویکرد تصمیم گیری چند صفته (MADM)
روش های MCDM (تصمیم گیری چند معیاره) برای حل مسائل نامشخص استفاده می شود. تصمیم گیری چند معیاره (MCDM) به طور وسیع تقسم می شود به:
تصمیم گیری چند هدفه (MODM) و
تصمیم گیری چند صفته (MADM)
MODM: بهینه سازی یک گزینه یا گزینه ها بر اساس اهداف الویت بندی شده.
MADM: انتخاب یک گزینه از بین مجموعه ای از گزینه ها بر اساس الویت بندی صفات گزینه¬ها.
MODM در جایی که فضای تصمیم دنباله دار و طرح گزینه ها با ساختار برنامه ریزی ریاضی تعریف شده باشد، به مطالعه مشکلات تصمیم گیری می پردازد (یک مثال مشخص مسائل تصمیم گیری ریاضیاتی با تابع چند هدفه می باشد).
از سوی دیگر، MODM بر روی مسائل در فضای تصمیم گیری گسسته تمرکز کرده و گزینه ها در لیست محدودی از صفات تعریف می شوند. در این مسائل مجموعه ای از گزینه های تصمیم از قبل تعیین شده است. بعلاوه یک صفت متمایل به یک سمت خود می¬تواند یک هدف باشد. روش های مختلفی با رویکرد MADM توسعه داده شده اند [10،13]. در این کار انجام شده، ما روش TOPSIS را برای یافتن بهترین گزینه اتخاذ نمودیم. TOPSIS تکنیکی است جهت مرتب سازی ارجحیات از طریق بررسی میزان تشابه به راه¬حل ایده¬آل. این مفهوم اولین با توسط یون و هاوانگ در سال 1981 [12] با این ایده که گزینه انتخاب شده باید به راه¬حل ایده آل نزدیک و از راه حل های ناایده آل که در بعضی از مفاهیم هندسی وجود دارد به دور باشد. فرض سودمند بودن هر صفت بطور یکنواخت افزایش (یا کاهش) می یابد. به این ترتیب مشخص کردن راه حل ایده آل و غیر ایده آل که به ترتیب از مجموع بهترین بدترین مقادیر معیار¬ها تعریف می¬شود، مشخص می گردد.
روش TOPSIS مراحل زیر را دنبال می کند:
مرحله 1: ایجاد ماتریس تصمیم نرمال شده
یک روش بدینگونه است که خروجی هر معیار بر معدل کل خروجی بخش که طول هندسی (اقلیدسی) بخش نیز نامیده می¬شود، تقسیم شود. بنابراین عنصر (آرایه) rij از ماتریس نرمال شده R برابر است با
تنها کاربران عضو سايت قادر به مشاهده لينک ها هستند.
عضويت در سايت / ورود به سايت
در اینجا، rij مقدار الویت داده شده نرمال شده گزینه ith بر حسب صفت jth می¬باشد. اکنون تمام صفات دارای یک طول واحد در بخش هستند.
مرحله 2: ایجاد ماتریس تصمیم نرمال شده وزنی
با مجموعه ای از وزن¬ها W= (w1, w2, w3, …, wn) ماتریس نرمال شده وزنی V بصورت زیر ایجاد می-شود.
تنها کاربران عضو سايت قادر به مشاهده لينک ها هستند.عضويت در سايت / ورود به سايت
که ‘m’ تعداد گزینه ها، ‘n’ تعداد معیار ها می باشند.
مرحله 3: تعیین راه حل ایده آل و ایده آل منفی که راه حل ایده آل با A* و راه حل ایده آل منفی با A- نشان داده می شوند:
تنها کاربران عضو سايت قادر به مشاهده لينک ها هستند.عضويت در سايت / ورود به سايت
که در معادله 3
تنها کاربران عضو سايت قادر به مشاهده لينک ها هستند.عضويت در سايت / ورود به سايت
بنابراین مشهود است که گزینه¬های ایجاد شده قبلی A* و A- گزینه ی دارای بیشترین الویت را مشخص می سازند ، یعنی این دو به ترتیب راه حل ایده آل و گزینه ای با کمترین ارجحیت یا همان راه حل غیر ایده آل را بیان می کنند.
مرحله 4: محاسبه اندازه فاصله
در این مرحله فواصل دوری هر گزینه از راه حل ایده آل و راه حل غیر ایده آل با استفاده از روش فاصله هندسی n – بعدی بدست می آید. Si* برابر است با فاصله (در مفهوم هندسی) هر گزینه از راه حل ایده آل که به این صورت تعریف شده است:
تنها کاربران عضو سايت قادر به مشاهده لينک ها هستند.عضويت در سايت / ورود به سايت
و فاصله با راه حل غیر ایده¬آل بصورت زیر تعریف می¬گردد:
تنها کاربران عضو سايت قادر به مشاهده لينک ها هستند.
عضويت در سايت / ورود به سايت
در این معادله vj* و vj* مقادیر بهترین و بدترین گزینه در یک معیار خاص ‘j’ هستند.
مرحله 5: محاسبه نزدیکی نسبی به راه حل ایده آل
نزدیکی نسبی گزینه ای مانند Ai از راه حل ایده آل A* اینگونه نشان داده می شود:
تنها کاربران عضو سايت قادر به مشاهده لينک ها هستند.عضويت در سايت / ورود به سايت
بنابراین Ci*=1، اگر Ai=A* و Ci-=0، اگر Ai=A-.
مرحله 6: رتبه بندی ترتیب الویت
ترتیب الویت با توجه به ترتیب Ci* می تواند انجام گردد. بنابراین، بهترین گزینه به راه حل ایده آل نزدیکترین و از راه حل غیر ایده آل دورترین می باشد.
2.4. متغیرهای زبانی فازی
در روش TOPSIS، تصمیم گیرندگان تقدم وزن ها را با زبان فازی ذکر می کنند. رویکرد زبانی یک راه دقیقی برای بیان کردن لغات یا جملات مورد قضاوت و درک انسان می باشد. روش زبان فازی جنبه های کیفی مقادیر شفاهی را با مقادیر زبانی بیان می کند. تحلیل تصمیم زبانی توصیفات زبانی DM را به یک مدل ریاضی برای فراهم آوردن یک چهارچوب ایده آل برای حل مسائل تصمیم گیری تبدیل می کند. برای دستیابی به اطمینان ما از برش α فازی علاوه بر رویکرد زبانی استفاده کرده¬ایم. رویکرد فازی بطور موفق در حوزه های مختلف مثل تصمیم گیری، بازیابی اطلاعات،تشخیص پزشکی، بازاریابی، خطر پذیری توسعه نرم افزار، انتخاب راهبرد انتقال تکنولوژی، سیستم های درجه بندی آموزشی، زبان بندی (کارهای اجرایی)، وفاق عمومی، انتخاب مواد، مدیریت شخصی، آموزش و غیره بکار برده شده است [15-14]. معمولا بسته به حیطه مسائل، اصطلاحات زبانی مناسبی برای توصیف اطلاعات مبهم و غیر دقیق اختصاص داده می شود. اهداف مختلف دارای اهمیت های مختلفی می باشند و همین دلیل بیان کردن اهمیت مقادیر یک هدف با وزن های شفاهی می باشد. بنابراین وزن های شفاهی مورد نیاز k هدف برابراند با:
α= (αk, αk, αk,… , αk) αiεW.
سطوح در نظر گرفته شده برای وزن گذاری اینگونه می باشند:
W= {غیر ضروری، خیلی پایین، تا حدی پایین، پایین، معمولی، بالا، تا حدی بالا، خیلی بالا، ضروری}
یک راه برای نمایش دادن یک عدد فازی، بازنمایی بر اساس مقادیر معلومی از تابع عضویت آن می ¬باشد. بنابراین برآورد زبانی کاربران در نوع خود دقیق است و تابع عضویت ذوزنقه ای برای نشان دادن ابهام موجود در ارزیابی زبانی آنان مناسب است.
نتایج و بحث
در این مقاله انتخاب صحیح ماده لایه جاذب در سلول های خورشیدی لایه نازک فراهم شده است. برای رسیدن به این مقصود، از رویکرد تصمیم گیری چند صفته- TOPSIS استفاده شده است. مراحل متفاوت مورد بحث در TOPSIS در قسمت قبل آورده شده است. خواص گوناگونی از مواد متفاوت قابل استفاده برای لایه نازک در جدول 1 فهرست بندی و نوشته شده است.
ماتریس نرمال شده R اینچنین است:
تنها کاربران عضو سايت قادر به مشاهده لينک ها هستند.عضويت در سايت / ورود به سايت
ماتریس وزنی W:
[W= [5 4 2 3 1
ماتریس وزنی نرمال شده V بصورت زیر است:
تنها کاربران عضو سايت قادر به مشاهده لينک ها هستند.عضويت در سايت / ورود به سايت
از ماتریس وزنی نرمال شده بالا، مقادیر متغیر¬های بیان کننده فاصله بدست می¬آیند:
S1*= 1.4146 S1-= 3.1283
S2*= 2.5309 S1-=1.3102
S3*= 3.2705 S1-=1.3363
S4*= 1.2015 S1-=2.5750
S5*= 3.1561 S1-=0.8260
اکنون ما می توانیم راه حل ایده آل را از معادله زیر حساب کنیم
تنها کاربران عضو سايت قادر به مشاهده لينک ها هستند.عضويت در سايت / ورود به سايت
به این ترتیب راه حل ایده آل در جدول 2 آورده شده است. رتبه بندی براساس مقادیر ‘C’ انجام می شود. به ماده دارای بالاترین مقدار ‘C’ بهترین رتبه داده می شود. بنابراین از میان این رتبه ها، می توان گفت از بین مواد انتخاب شده، Copper Indium Gallium Diselinide (CIGS)بهترین ماده برای لایه جاذب سلول خورشیدی می باشد. CadmiumTelluride، Copper Indium Disulphide، Amorphous Silicon و Perylen ediamine به ترتیب در رتبه های بعدی قرار می گیرند. پارامتر های کلیدی در ارزیابی عملکرد سلول های خورشیدی این موارد هستند: راندمان تبدیل انرژی و ضریب پر شدگی (FF). ضریب پر شدگی که با نسبت (براساس درصد) ماکزیمم قدرت عملی بدست آمده به قدرت تئوری (بطور عملی قابل دستیابی نیست).
تنها کاربران عضو سايت قادر به مشاهده لينک ها هستند.عضويت در سايت / ورود به سايت
گزارش شده است که [17-16] کل راندمان ناحیه برای CIGS بر پایه TFSC به 19.9% می رسد در صورتی که نزدیکترین مورد CdTe با راندمان 16.7% می باشد [17]. یولال و ول (Ullal, Von Roedern) [19] راندمان تئوری نهایی برای CIGS صرف نظر از زیر لایه ممکن است تا 27% نیز باشد. همچنین گزارش شده است [20] ضریب پر شدگی CIGS بر پایه CdTe برابر با 80.3% در حالیکه برای CdTe به 75.5% می¬رسد (اندازه گیری شده در تابش W/m2 1000 با توده هوا 1.5 اسپکتروم در oC 25). به خاطر این نتایج سلول خورشیدی بر پایه CIGS، کمپانی های دارای تکنولوژی بزرگ عرصه را برای CIGS باز گذارده¬اند.
مشاهده شده است که نتایج مورد نظر با یافته های تجربی تطابق داشته و اعتبار مطالعه مورد هدف را تصدیق می کند.
اگرچه کارشناسان بر این عقیده اند برای افزایش اطمینان بهره گیری از سلول های خورشیدی به دلیل رقابت پذیری سلول های خورشیدی دارای پایه ی CIGS باید موارد زیر مورد توجه قرار بگیرد.
راندمان سلول های خورشیدی باید بالای دو رقم اعشار باشد.
ابزار های بهبود دهنده لایه های جاذب باید استاندارد باشند.
لایه های جاذب CIGS باید از لحاظ همسانی و استیکیومتری بهبود یابند.
نتیجه گیری:
در این مقاله نحوه انتخاب لایه جاذب مورد استفاده در سلول های خورشیدی لایه نازک با استفاده از رویکرد MADM که گزینه ها را بر اساس میزان نزدیکی به راه¬حل ایده آل رتبه بندی می کند (TOPSIS) توضیح داده شده است. مشخص شده است که Copper Indium Gallium Diselinide (CIGD) بهترین ماده در ساخت لایه جاذب سلول های خورشیدی لایه نازک بوده است و بعد از آن Cadmium Telluride، Copper Indium Gallium Disulphide، Amorphous Silicon و Perylene diamine که یک نیمه رسانای اورگانیک است قرار دارند. این یافته ها با نتایج تجربی صدق می کند که موجب بکارگیری ماده CIGS برای TFSC به منظور رسیدن به عملکرد بالا در وسیله می شود.
ترجمه ی خانم زینب رمدانی دانشجوی کارشناسی ارشد مهندسی مکانیزاسیون کشاورزی
مطالب مشابه :
2984 مقاله ای کامل در مورد کار سلول های خورشیدی
در پی فردا - 2984 مقاله ای کامل در مورد کار سلول های خورشیدی - زندگی زیباست، کافیست خوب ببینیم و
مقاله اي درمورد "سلول خورشيدي" ...
مقاله اي درمورد "سلول مدرن در سلول های خورشیدی در 1946 که همان موقع مورد نیاز
مقاله ای در مورد انرژي خورشيدي
مقاله ای در مورد انرژي خورشيدي سلول خورشیدی عبارت از قطعات نیمرسانایی هستند که انرژی
کاربرد الکتریسته خورشیدی در ساختمان
دنیایی مقاله - مقاله ی در مورد است، که بطور معمول یک سلول خورشیدی نامیده میشود.
جنس لایه نازک سلول خورشیدی
نازک سلول خورشیدی این مقاله در نظر جاذب در سلول خورشیدی مورد بحث در topsis
تحقیق درباره انرژی خورشیدی (یاهو)
خورشید به عنوان یک منبع بی پایان انرژی می تواند حلال مشکلات موجود در مورد سلول خورشیدی
سلول خورشیدی چگونه کار میکند ؟
>> دانلود مقاله ای در مورد " سلول خورشیدی" به طور کامل همراه با تصاویر. سلول های خورشیدی
کاربرد الکتریسته خورشیدی در ساختمان وراهنمایی رانندگی
کاربرد الکتریسته خورشیدی در ساختمان سلول خورشیدی عبارت از قطعات » مقاله ی در مورد
برچسب :
مقاله در مورد سلول خورشیدی